6月21日，據(jù)臺灣媒體報道，臺亞半導(dǎo)體正在以IDM模式進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，今年一季度已試產(chǎn)氮化鎵，明年試產(chǎn)碳化硅，合計年產(chǎn)能約10萬片。
據(jù)臺亞半導(dǎo)體宣布，他們將在中國臺灣銅鑼擴(kuò)建6吋碳化硅晶圓廠和8吋、12吋氮化鎵晶圓廠，以及后段的測試、封裝廠。
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目前臺亞銅鑼新廠的投資規(guī)模尚未公布，但預(yù)估僅土建部分的投資將達(dá)數(shù)十億臺幣（10億臺幣約為2.3億人民幣），建廠用地達(dá)4公頃，預(yù)計在2026年初建成并投入生產(chǎn)。
碳化硅方面，臺亞將以子公司積亞半導(dǎo)體為切入點(diǎn)——加強(qiáng)SiC外延及SiCMOSFET的生產(chǎn)制造，預(yù)計在2023年第四季前完成6吋碳化硅月產(chǎn)能3000片的建設(shè)，2024年第一季試產(chǎn)，后續(xù)產(chǎn)能將提升至每月5000片。
2021年12月，臺亞半導(dǎo)體投資近6900萬人民幣，成立全資子公司積亞半導(dǎo)體，而積亞于2022年2月、4月對外透露了2次SiC投資信息：
●2022年2月，積亞半導(dǎo)體擬投資30億元新臺幣（約6.8億人民幣）用于建設(shè)碳化硅等項目，將專注于生產(chǎn)碳化硅SBD、碳化硅MOSFET。
●2022年8月，積亞半導(dǎo)體宣布將投資額增加到45億新臺幣（約10.2億人民幣），以擴(kuò)大SiC功率器件產(chǎn)能。
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在氮化鎵（GaN-on-Si）方面，臺亞計劃廠房建置初期以6吋晶圓為主，充分利用現(xiàn)有6吋生產(chǎn)設(shè)備，并增置關(guān)鍵MOCVD設(shè)備；8吋產(chǎn)線將在2023年底完成建設(shè)，目前設(shè)備型號已經(jīng)敲定（采用臺灣本土設(shè)備比率達(dá)40％）。
臺亞總經(jīng)理衣冠君表示，該氮化鎵廠將是全球少見的先進(jìn)功率器件廠，預(yù)計在2024年底之前達(dá)成每月3000片的出貨量，產(chǎn)品將聚焦于快充、電動汽車、無人機(jī)等應(yīng)用。
近期，臺亞已完成第一顆650V D-mode HEMT的開發(fā)，并進(jìn)行送樣驗證。他們預(yù)期在少量代工單生產(chǎn)之下，氮化鎵有望在今年開始貢獻(xiàn)營收。衣冠君認(rèn)為，明年公司氮化鎵營收提升至30％的目標(biāo)有望達(dá)成。
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