各位行家，端午安康。今天，“行家說”為你帶來2條8吋SiC的內容服務：
●科友半導體：突破關鍵8吋SiC單晶量產技術，為大規模量產奠定基礎。
● 天成半導體：成功研發8吋SiC單晶。
(相關資料圖)
2023年4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通，并進入中試線生產。
目前，科友半導體8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望成為我國大尺寸低成本碳化硅規模化量產制造技術的領跑者。
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今天（6月22日），“行家說三代半”在調研中了解到，國內還有1家企業——山西天成半導體——也實現了8吋SiC單晶技術研發突破。
天成半導體透露，他們這次開發出的8吋SiC單晶直徑達到202mm，各項參數指標良好。
天成半導體成立于2021年8月成立，2022年4月，天成半導體僅用半年時間就順利完成了中試投產，已經實現了6英寸導電型和半絕緣型碳化硅晶錠的小批量生產。
《2023碳化硅（SiC）產業調研白皮書》部分目錄：
第二章 SiC產業關鍵技術進展
2.1 SiC特性及技術優勢
2.2 SiC單晶生長及襯底加工工藝分析
2.3 SiC外延技術分析
2.4 SiC功率器件技術進展及趨勢分析
2.5 SiC分立器件封裝技術進展及趨勢分析
2.6 SiC模塊技術進展及趨勢分析
2.7 SiC關鍵設備和材料技術分析
2.8 核心SiC技術在中國國產化的挑戰分析
第三章 全球SiC半導體產業競爭格局
3.1 全球與中國SiC產業發展歷程與所處階段
3.2 各國/區域SiC代表廠商
3.3 SiC襯底競爭格局
3.4 SiC外延競爭格局
3.5 SiC器件/模塊競爭格局
3.6 SiC關鍵設備/材料競爭格局
《2023氮化鎵（GaN）產業調研白皮書》部分目錄：
第二章 GaN產業關鍵技術進展
2.1 GaN特性及技術優勢
2.2 GaN單晶生長及襯底加工工藝分析
2.3 GaN外延技術分析
2.4 GaN功率器件技術進展及趨勢分析
2.5 GaN器件/模塊封裝技術進展及趨勢分析
2.6 GaN關鍵設備和材料技術分析
第四章 全球GaN半導體產業競爭格局
4.1 全球與中國GaN產業發展歷程與所處階段
4.2 各國/區域GaN代表廠商
4.3 GaN襯底競爭格局
4.4 GaN外延競爭格局
4.5 GaN器件/模塊競爭格局
4.6 GaN關鍵設備/材料競爭格局
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