8吋!2家SiC企業(yè)公布關(guān)鍵進(jìn)展_快訊

各位行家，端午安康。今天，“行家說”為你帶來2條8吋SiC的內(nèi)容服務(wù)：

●科友半導(dǎo)體：突破關(guān)鍵8吋SiC單晶量產(chǎn)技術(shù)，為大規(guī)模量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

● 天成半導(dǎo)體：成功研發(fā)8吋SiC單晶。

(相關(guān)資料圖)

2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通，并進(jìn)入中試線生產(chǎn)。

目前，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線平均長(zhǎng)晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望成為我國(guó)大尺寸低成本碳化硅規(guī)模化量產(chǎn)制造技術(shù)的領(lǐng)跑者。

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今天（6月22日），“行家說三代半”在調(diào)研中了解到，國(guó)內(nèi)還有1家企業(yè)——山西天成半導(dǎo)體——也實(shí)現(xiàn)了8吋SiC單晶技術(shù)研發(fā)突破。

天成半導(dǎo)體透露，他們這次開發(fā)出的8吋SiC單晶直徑達(dá)到202mm，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)良好。

天成半導(dǎo)體成立于2021年8月成立，2022年4月，天成半導(dǎo)體僅用半年時(shí)間就順利完成了中試投產(chǎn)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅晶錠的小批量生產(chǎn)。

《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》部分目錄：

第二章 SiC產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)展

2.1 SiC特性及技術(shù)優(yōu)勢(shì)

2.2 SiC單晶生長(zhǎng)及襯底加工工藝分析

2.3 SiC外延技術(shù)分析

2.4 SiC功率器件技術(shù)進(jìn)展及趨勢(shì)分析

2.5 SiC分立器件封裝技術(shù)進(jìn)展及趨勢(shì)分析

2.6 SiC模塊技術(shù)進(jìn)展及趨勢(shì)分析

2.7 SiC關(guān)鍵設(shè)備和材料技術(shù)分析

2.8 核心SiC技術(shù)在中國(guó)國(guó)產(chǎn)化的挑戰(zhàn)分析

第三章 全球SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

3.1 全球與中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程與所處階段

3.2 各國(guó)/區(qū)域SiC代表廠商

3.3 SiC襯底競(jìng)爭(zhēng)格局

3.4 SiC外延競(jìng)爭(zhēng)格局

3.5 SiC器件/模塊競(jìng)爭(zhēng)格局

3.6 SiC關(guān)鍵設(shè)備/材料競(jìng)爭(zhēng)格局

《2023氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》部分目錄：

第二章 GaN產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)展

2.1 GaN特性及技術(shù)優(yōu)勢(shì)

2.2 GaN單晶生長(zhǎng)及襯底加工工藝分析

2.3 GaN外延技術(shù)分析

2.4 GaN功率器件技術(shù)進(jìn)展及趨勢(shì)分析

2.5 GaN器件/模塊封裝技術(shù)進(jìn)展及趨勢(shì)分析

2.6 GaN關(guān)鍵設(shè)備和材料技術(shù)分析

第四章 全球GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

4.1 全球與中國(guó)GaN產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程與所處階段

4.2 各國(guó)/區(qū)域GaN代表廠商

4.3 GaN襯底競(jìng)爭(zhēng)格局

4.4 GaN外延競(jìng)爭(zhēng)格局

4.5 GaN器件/模塊競(jìng)爭(zhēng)格局

4.6 GaN關(guān)鍵設(shè)備/材料競(jìng)爭(zhēng)格局

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