未來寬禁帶半導體將釋放巨大市場潛力和強大發展動力？

4月17-18日，第十五屆中國電子信息技術年會在重慶兩江新區舉行。會上寬禁帶半導體及碳基技術被重點提及。

寬禁帶半導體

中國科學院院士、中國電子學會副理事長、西安電子科技大學教授郝躍稱，目前寬禁帶半導體已經在汽車、健康等領域得到了大規模應用。

郝躍還預測，6G通信2030年或將會進入產業化，未來寬禁帶半導體將釋放巨大市場潛力和強大發展動力。

此外，郝躍表示，中國已經提出了“3060碳排放目標”，也讓寬禁帶半導體有了更加廣闊的前景。當然我們還需要不斷努力，在電力總量攀升的同時降低傳輸過程中的消耗，推動碳達峰、碳中和目標早日實現。

我國在2020年成立了寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心，目前已經在氮化鎵半導體設備、氮化鎵毫米波功率器件等多個領域取得了技術突破。

碳基技術

中國科學院院士、北京大學教授彭練矛表示，隨著芯片制造工藝逼近2納米，硅基芯片材料的潛力已基本被挖掘殆盡，無法滿足行業未來進一步發展的需要，啟用新材料是公認的從根本上解決芯片性能問題的出路。

彭練矛指出，碳納米管擁有完美的結構、超薄的導電通道、極高的載流子遷移率和穩定性，未來有望取代傳統的硅基集成電路技術。面向后摩爾時代，中國現已基本解決碳納米管面臨的挑戰，實現了整套的碳納米管集成電路和光電器件制備技術，同時也在碳納米管的無摻雜技術研究方面取得重大突破，使得我國在碳基芯片的基礎研究方面邁入全球發展前列。

彭練矛認為碳基技術有望全方位影響現有半導體產業格局。

關鍵詞： 寬禁帶 半導體